西方物理界用空穴与电子相互牵移来说明二级管PN结成因，除了上面提到的电子电荷的根源说不清外，更在于自由电子的迁移理论不能解决电子流动产生磁场之类的问题，因此这不是一个可信的理论。而在以太论下，这个二极管PN结的原理则很简单：
电是导体内以太振动波，物体表面存在以太湍流层结构，这是以太旋涡理论里的基础认识。电在导体内的传递模式是低频波承载高频波的以太振动波，不同原子以太旋涡的空间结构对电的传递效率不同，表现为导电性不同，不能传递这种以太振动波的是绝缘体，能高效传递这种以太振动波的是导体，半导体就是介于绝缘体与导体之间的原子以太旋涡结构。
在硅晶体上，P区的掺杂原子以太旋涡有很高的振动频率，N区掺杂的原子以太旋涡则有相对低的振动频率（仍比硅原子以太旋涡的振动频率要高），如此状态的两区相结合，让硅晶体呈现半导体性质而能导电。在两者的接触面上，则形成以太湍流层，原子以太旋涡的振动力场在以太湍流层的传递方向由P区指向N区；以太湍流层的力场方向刚好相反，由N区指向P区。在经典物理的二极管理论中，这个以太湍流层所处的接触面一个很玄乎的名称，叫冶金结界面。
当定向振动波（电）沿P－N方向传递到以太湍流层时，以太波振动作用的纵向分量作用顺着振动力场方向，就可以轻松穿过这个以太湍流层，表现为电流通过。而定向振动波（电）沿N－P方向传递到N区，纵向分量作用受以太湍流层力场的阻碍，不能通过以太湍流区，表现为阻断。
PN结对电流的通过与阻断，分别是光波的折射与镜面反射在导体内的电振动波版。由这个原理可知，任何活跃元素与不活跃元素相互紧密接触后，其接触面均可构成广义上的PN结。
而当定向振动波的频率提高时，仍可以沿N－P方向穿过这个以太湍流区的力场，表现为击穿。
电子二极管，则在通过加热电灯丝与另一端建立电场，电振动沿这个电场传递，反向则不能建立电场，电振动就不能通过。
西方物理界不能正确又简单地解释PN结构内在机理，源于被错误的电流理论（认识不到电是导体内的振动波），和错误的原子结构模型（认识不到原子空间的以太旋涡形态）所误导。
