晶体三极管，是半导体工艺的基本元器件之一，具有放大电流、控制开关等功用，是电子电路的核心元件。它是晶体二极管PN结原理的拓展应用。在经典西方科学理论中，是用错误的空穴与自由电子概念来解释半导体的导电性，进而用这两个概念来说明晶体二极管、三极管原理，因此不能就是晶体二极管与三极管有一个正确的科学原理分析。
在以太旋涡理论下，晶体三极管原理，就是在晶体二极管的以太湍流层内，外加入一个输入性电振动力场，来影响这个二极管以太湍流层的力场梯度分布，从而让输入性电信号的强度变化体现在这个以太湍流层上，当在二个极上正向输入电流，电流就会因以太湍流层的变化而在输出后有对应的电流强度变化，表达为放大信号作用。
晶体三极管，其实是两个面相连接或背向连接的两个PN结，这两个PN结有共同的N区或P区。有共同N区的，即P-N-P结构，被称为PNP型，有共同P区的，即N-P-N结构，被称为NPN型。在一个晶体三极管中，中间部分的共同区被称为基区，两侧部位分别是发射区和集电区种。在工艺上，基区做得很薄。下面分别就PNP型与NPN型晶体三极管作一个简单原理说明。
PNP型
PNP型的晶体三极管，在没通外来电流时，其PN结内表面的原子以太旋涡振动力场是由两侧的两个P端指向中间的一个N端，即P->N与N<-P，P-N结与N-P结分别构成这个PNP型晶体管的缝隙，缝隙中是存在方向相反的原子以太旋涡振动力场。对于P->N->P方向的电流通过时，在P-N结缝隙上电流方向与振动力场方向一致，能正常顺利通过，而在N-P缝隙上电流方向与振动力场方向相反，则会受阻。但由于PNP型晶体管的N区在工艺上做得很薄，带来的效果之一N-P的振动力场相对要弱，若有强度大一点的电流通过，这个N-P结很容易被击穿，表现为电流虽然在这个N-P结上受到电阻影响中断，但强度增大后仍有部分流量可以通过，而不是如晶体二极管的N-P结上受电阻巨大而几近如断开电路一般。
当在N区上加上一个某区间的电压，N区的原子以太旋涡在平衡位置上振动加强，于是N区原子以太旋涡对外的振动力场也强化，从而使N-P内的力场强度差值减小，于是N-P结更容易被击穿。如此N区的电压越高，N-P结越容易被击穿，P->N->P方向通过的电流也越强，反之N极的电压越低，N-P结被击穿的越困难，P->N->P方向通过的电流也越弱，表现为输出电流也越弱，如此在N区的电压大小变化与P区输出电流大小呈现为正相关，表现为信号放大。
NPN型
NPN型
NPN型的晶体三极管，在没通外来电流时，其PN结内表面的原子以太旋涡振动力场是由中间的一个P端指向两侧的两个N端，即N<-P与P->N，同样，N-P结与P-N结分别构成这个NPN型晶体管的缝隙，缝隙中是存在方向相反的原子以太旋涡振动力场。对于N->P->N方向的电流通过时，在N-P结缝隙上电流方向与振动力场方向相反，就会受阻；而在P-N结缝隙上电流方向与振动力场方向一致，则能正常顺利通过。由于NPN型晶体管的P区在工艺上做得很薄，同样带来的效果之一N-P的振动力场相对要弱，若有强度大一点的电流通过，这个N-P结也很容易被击穿，表现为电流虽然在这个N-P结上受到电阻影响中断，但强度增大后仍有部分流量可以通过。
当在P区上加上一个某区间的电压，P区的原子以太旋涡在平衡位置上振动加强，于是P区原子以太旋涡对外的振动力场也强化，从而使N-P内的力场强度差值增强，于是N-P结更难以被击穿。如此P区的电压越高，N-P结越难以被击穿，N->P->N方向通过的电流也就越弱，反之P区的电压越低，N-P结被击穿就相对容易，N->P->N方向通过的电流也就越强，表现为输出电流也越强，如此在P区的电压大小变化与N区输出电流大小呈现为负相关，表现为信号放大。
PNP型与NPN型对电流的阻断作用，就如在平地上挖坑中断路行与堆山中断路行。对于PNP型，在N区加电压，就如填坑行为，电压越高，坑填得越满，路行就越容易，对应通过的电流越大。对于NPN型，在P区加电压，就如堆山行为，电压越高，山堆得越高，路行就越难，对应通过的电流越小。
